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主要型號：
型號 | 功率(kW) | 工作電壓（V） | 最 大工作電流（A） | 主機外形尺寸 | 升壓轉換器（qì）外形尺寸 | 冷卻 方式 |
HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷 |
HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A |
主（zhǔ）要特點：
A 采用先進的電流型開關電源技術，減小輸出儲（chǔ）能元件，
同時提高了抑（yì）製（zhì）打火及重（chóng）啟速度。
B 具備恒流/恒功率（lǜ）模式可（kě）選。
C 具有理想的電（diàn）壓陡降特性（xìng），自動識別偽打火現（xiàn）象，
充（chōng）分滿足轟擊清洗過程（chéng）的連續性。
D 主要（yào）參數可（kě）大範圍調節。
E 可選擇（zé）手動控製/模擬量接口（kǒu）控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬（kuān）調製技術（shù），使用（yòng）進口IGBT或MOSFET作為功率（lǜ）開關器件（jiàn），
體積小、重（chóng）量輕、功能全（quán）、性能穩（wěn）定可靠，生產工（gōng）藝嚴格完善。
該係列產品采用先進（jìn）的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性（xìng），
並且具有抑製（zhì）靶（bǎ）材弧光放電及（jí）抗短（duǎn）路功能（néng），
具（jù）有極佳的負載匹配能力，既保證了（le）靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能（néng），方便（biàn）實現自動化控製。
主要用途：
MSB高壓雙極清洗電源適用於工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和（hé）鍍矽油保護膜。
在高技術產業化的發展（zhǎn）中（zhōng）展現出誘人的市場前景。這種的真空鍍膜技術已在國民經濟各個領域得到應用。真（zhēn）空鍍膜技術是真空應（yīng）用技術的一個重要分支，它已廣泛地應（yīng） 用於光學、電子學、能源開發、理化儀器、建築機械、包裝、民用製品、表麵科學以及科（kē）學研究等領域中。真（zhēn）空（kōng）鍍膜（mó）所采用的方（fāng）法（fǎ）主要有（yǒu）蒸發（fā）鍍．濺射鍍、離子鍍（dù）、束流沉積鍍以及分子束外延等。這種真空鍍膜電源優勢會體現的比較明顯。
選用了領先（xiān）的PWM脈寬調製（zhì）技術，具有（yǒu）傑出的動態特性和抗幹擾才能，動態呼應（yīng）時刻小於10mS。規劃有電壓、電流雙（shuāng）閉環操控電路，可實時對輸出電壓電流的操控，能有用處理濺射過程中陰極靶麵的不清潔導致弧光（guāng）放電造成（chéng）大電（diàn）流衝擊導致電源的損壞疑問。選用數字化DSP操控技術，主動操控電源的恒壓恒流狀況。在起（qǐ）弧和（hé）維弧時（shí）能主（zhǔ）動疾速操控電（diàn）壓電流使起弧和（hé）維弧作業更安（ān）穩。
真空室裏的堆積條件跟著時刻發作改動是常見的表象。在一輪運轉過中，蒸（zhēng）發源的特（tè）性會跟著膜材的耗費而改動，尤其是規劃中觸及多（duō）層鍍膜時，假如技術進程需繼續數個小（xiǎo）時，真空室的熱梯度也會上升（shēng）。一起，當真（zhēn）空室內壁發作堆積變髒時（shí），不一（yī）樣次序的工效逐步發生區別。這些要素雖然是漸（jiàn）進的並可以進行抵償，但仍然大（dà）概將其視為體係公役的一部分。
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