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主要型號：
型號 | 功率(kW) | 工作電壓（V） | 最 大工作電（diàn）流（A） | 主機外形尺寸 | 升壓轉換器外形尺寸 | 冷卻（què） 方（fāng）式 |
HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷 |
HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A |
主要特點：
A 采用先（xiān）進的電流型開關電源技術，減小輸出儲能元（yuán）件，
同時提高了抑製打（dǎ）火（huǒ）及重啟速（sù）度。
B 具備恒流/恒功率模式可選。
C 具有理想的電壓陡降特性，自動（dòng）識別偽打（dǎ）火現象，
充分（fèn）滿足轟擊清洗過程的（de）連續性。
D 主要參數可大範圍調節。
E 可選（xuǎn）擇手動控（kòng）製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接（jiē）口（kǒu）。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或（huò）MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴（yán）格完善。
該係（xì）列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證（zhèng）鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配（pèi）能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提（tí）高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調節；
方（fāng）便維護，可靠性（xìng）高；
PLC接口和（hé）RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製（zhì）。
主要（yào）用途：
MSB高壓雙極（jí）清洗電源（yuán）適用於工件鍍（dù）膜前的高壓轟擊清洗和（hé）鍍矽（guī）油保護膜。
在高技術產業化的（de）發展（zhǎn）中展現出誘人的市場前景（jǐng）。這種的真空鍍膜技術已在國民經濟各個領（lǐng）域得到應（yīng）用。真空鍍膜技術是真空應（yīng）用技（jì）術的一（yī）個重要分支，它已廣泛（fàn）地應 用（yòng）於光學、電子學、能源開發、理化儀器、建（jiàn）築機械、包裝、民用（yòng）製（zhì）品、表（biǎo）麵科學以及科學研究（jiū）等領域中。真空（kōng）鍍膜所采用的方（fāng）法主要有蒸發鍍．濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束（shù）外（wài）延等。這種真空鍍膜電（diàn）源優勢會體現（xiàn）的比較明顯。
選用了領先的PWM脈寬調製技術（shù），具有傑（jié）出的動態（tài）特性和抗幹擾才能（néng），動態呼應時刻小於10mS。規劃（huá）有電壓、電（diàn）流雙閉環操控電路，可實時對輸出（chū）電壓電流的操控，能有（yǒu）用處理濺射（shè）過程中陰極（jí）靶麵的不（bú）清潔導致弧光放電造成大電流衝擊導致電源的損壞疑問。選用數字化（huà）DSP操控技術，主動操控電源的恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時（shí）能主動（dòng）疾速操控電壓電流使起弧和維弧（hú）作業更安穩。
真空室裏的堆積（jī）條件跟著時刻發作改動是常見（jiàn）的表象。在一輪運轉過中，蒸發源的特性會跟（gēn）著膜材的耗費（fèi）而改動，尤其（qí）是規劃中（zhōng）觸及（jí）多層鍍膜時，假如技術進程需繼續數個小時，真空室的熱梯度也會上升（shēng）。一起，當（dāng）真空室內壁發作堆積變（biàn）髒時，不一樣次序的工效逐步發（fā）生區別。這些要素雖然是漸進（jìn）的（de）並可以進行抵償，但仍然大概將（jiāng）其視為體係公役的一部分。
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