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主要型號:
型號 | 功率(W) | 工(gōng)作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺(chǐ)寸 | 冷卻方(fāng)式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩(jǔ)形波、正(zhèng)弦波三(sān)種波形,波形(xíng)的蕞高值和蕞低值可(kě)獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波(bō)、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動(dòng)控製/模(mó)擬量接口控(kòng)製,可選配RS485通訊接口(kǒu)。
采用先進的PWM脈寬調製(zhì)技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開(kāi)關器(qì)件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生(shēng)產工藝嚴格完善。
該係列產品采用(yòng)先進的DSP控製(zhì)係統,充分保證鍍膜工藝(yì)的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及(jí)抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既(jì)保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高(gāo)了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接(jiē)口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶(bǎ)外(wài)圍磁場線圈,產(chǎn)生周期性可變磁磁場,使多弧(hú)輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提高(gāo)工件膜層質量

現在工業區,在範圍上擴展(zhǎn)的是越來(lái)越廣,跟隨我們行業的發(fā)展,現在機械設備研發的是越來越多,當然啦,研發(fā)那麽多,在一些加工廠家(jiā)肯定是要應用到的啦,在範圍上,在數量上(shàng)都不會少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這(zhè)項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀器(qì)有望遠鏡、顯微鏡、照相(xiàng)機、測距儀,以及日常生活用品中(zhōng)的鏡子(zǐ)、眼鏡、放大鏡等(děng),它(tā)們都離不開鍍(dù)膜技術,鍍製的薄膜有反(fǎn)射膜、增透膜(mó)和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中(zhōng):薄膜材料(liào)作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流(liú)損耗;磁化反轉極為迅(xùn)速;與膜麵平(píng)行的雙穩態狀態容易保(bǎo)持等。為了更精密地記(jì)錄(lù)與存儲信息,必然要采用鍍膜(mó)技術。
3、在傳(chuán)感器方麵:在傳感器中,多采用那些(xiē)電氣性質相對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感(gǎn)的半導體材料。此外,其中,大多數利(lì)用的是半導體的表麵、界麵(miàn)的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價(jià)格製作,因(yīn)此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電(diàn)路製造中:晶體管路中的保(bǎo)護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采(cǎi)用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技(jì)術、磁(cí)控濺射技術和(hé)射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核(hé)心技術之(zhī)一。
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