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主要(yào)型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要(yào)特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形(xíng)的蕞高值和蕞(zuì)低值可獨立設(shè)置。
B輸出(chū)電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形(xíng)波占空比10%~90%
E 可(kě)選擇手動控製/模(mó)擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬(kuān)調製(zhì)技術,使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為(wéi)功率開關器件(jiàn),
體(tǐ)積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性(xìng),
並(bìng)且具有抑製靶材(cái)弧光放(fàng)電及抗短路功能,
具(jù)有極(jí)佳(jiā)的負載匹配能力,既保證了(le)靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數(shù)均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功(gōng)能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁(cí)多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動(dòng)多弧靶外圍磁場線(xiàn)圈,產生(shēng)周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的(de)集中放電變為均(jun1)勻放電,提高工件膜層質量(liàng)

現在工(gōng)業區,在範圍上擴展(zhǎn)的是越來越廣,跟隨我們行業的發(fā)展,現在機械設備研(yán)發的是越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯定(dìng)是(shì)要應用到(dào)的啦(lā),在範圍上,在數量上都不會(huì)少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這項項目吧(ba)!

1、在(zài)光學儀(yí)器中:人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀(yí),以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術(shù),鍍製的薄膜有反射膜、增透膜(mó)和吸收膜等幾種。
2、在(zài)信息存儲領(lǐng)域中(zhōng):薄(báo)膜材(cái)料作為信(xìn)息記錄於(yú)存儲介質,有(yǒu)其得天獨(dú)厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅(xùn)速;與膜麵平行的(de)雙穩態狀(zhuàng)態容易保持等。為了更精密地記錄與存(cún)儲(chǔ)信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在(zài)傳感器(qì)方麵:在傳感器中,多采(cǎi)用那些電氣性質相對於(yú)物理量、化學量及其變化來說,極為敏(mǐn)感的半導體材料。此外(wài),其中,大多數(shù)利(lì)用的是半導體的表麵、界(jiè)麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業(yè)化、低價格製作(zuò),因此(cǐ),采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極(jí)管線(xiàn)(多晶矽、鋁、銅及其合金)等(děng),多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術(shù)、磁控濺射(shè)技(jì)術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積(jī)是製備集成電路的(de)核心技術(shù)之一。
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