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主要型號:
型號(hào) | 功率(W) | 工作電(diàn)壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選(xuǎn)擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞(zuì)低值可獨立設置。
B輸出電壓(yā)範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比(bǐ)10%~90%
E 可選(xuǎn)擇手動(dòng)控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技(jì)術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功(gōng)能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該(gāi)係列產品采用先進的DSP控(kòng)製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有(yǒu)抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高(gāo)了靶麵清(qīng)洗速(sù)度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護(hù),可(kě)靠性高;
PLC接口(kǒu)和RS485接口(kǒu)擴(kuò)展功能,方便實現自(zì)動化控(kòng)製。
主要用途(tú):
MS係列勵磁多波形電(diàn)源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生周期性可變磁(cí)磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提(tí)高工件膜層質量

現在工業區,在範(fàn)圍(wéi)上(shàng)擴展的是越來越廣(guǎng),跟(gēn)隨我們行業的(de)發展,現在機械設備研發的是(shì)越來越多,當然啦(lā),研發那麽多,在一些加工(gōng)廠家肯定是要應用到的啦,在範(fàn)圍上,在數量上都不會少,現在我們來了解(jiě)下真空鍍膜電源這項項目(mù)吧!

1、在光學(xué)儀器中:人(rén)們熟悉的光(guāng)學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相(xiàng)機、測距儀,以及日常生活用(yòng)品中的鏡子(zǐ)、眼鏡、放大(dà)鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜材料作為(wéi)信息記錄於存儲介質,有其(qí)得天獨(dú)厚的優勢:由於(yú)薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁(cí)化反轉極為迅速;與膜(mó)麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用(yòng)鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多(duō)采用那些電(diàn)氣性質相對於物理量、化學量及(jí)其變化來說,極為(wéi)敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵(miàn)、界麵的性質(zhì),需(xū)要盡量增大其麵積,且(qiě)能工業化、低價(jià)格製作,因此,采用(yòng)薄膜的情況很(hěn)多。
4、在集成電路製(zhì)造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(xiàn)(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是(shì)采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技(jì)術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積(jī)是(shì)製備集成電路的核心技術之一。
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